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本发明公开了一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路，同时实现低压大功率防反压及耐过压浪涌的功能，当MOSFET关闭时，其体二极管阻塞反向电流；当MOSFET在正向传导过程中打开时，正向电压降和功率损耗显著降低。理想的二极管控制器感知通过MOSFET的反向电流，并迅速关闭它，使得体二极管阻止反向电流。在正常输入电压时，MOS管开通，输出正常电压；当输入电压存在浪涌时，反馈电压控制电路控制MOS管驱动，使其处于线性工作状态，抑制浪涌电压。高压、低能量尖峰由跨接在输入端的电容及瞬态抑制器吸收。余下的电路
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115714367 A
(43)申请公布日 2023.02.24
(21)申请号 202211282063.1
(22)申请日 2022.10.19
(71)申请人 中国航空工业集团公司雷华电子技
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