半导体物理整理公式彩版.docVIP

（1）AB段:　低温杂质电离区EC－EF﹥2k0T 非简并 0EC－EF ≤ 2k0T 弱简并 EC－EF ≤ 0 简并类氢模型 （1）AB段:　低温杂质电离区 EC－EF﹥2k0T 非简并 0EC－EF ≤ 2k0T 弱简并 EC－EF ≤ 0 简并 （2）BC段:　饱和区 （2）BC段:　饱和区 （3）CD段:　高温本征激发区 （3）CD段:　高温本征激发区 强电离 强电离 EF=EC为简并化 条件是 EF=EC为简并化 条件是 当半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，它们的互相抵消作用称为杂质的补偿。通过采用杂质补偿底方法来改变半导体某个区域的导电类型或电阻 过渡区 过渡区 300K时，Ge的本征电阻率为47Ω·cm，如电子和空穴迁移率分别为3600cm2/V·S和1700cm2/V·S，试求本征Ge的载流子浓度。 300K时，Ge的本征电阻率为47Ω·cm，如电子和空穴迁移率分别为3600cm2/V·S和1700cm2/V·S，试求本征Ge的载流子浓度。[解]T=300K，ρ＝47Ω·cm，μn＝3900cm2/V·S，μp＝1900 cm2/V·S R=rnp R=rnp 对于小注入： 对于小注入： 一般情况 一般情况 率 当wLp时样品厚度一定样