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本发明公开了一种红外探测器阵列，从下至上依次包括p型基体、n型像元层、第一钝化层、第一金属接触层、第二钝化层及第二金属接触层；所述n型像元层包括多个按预设二维图案间隔设置的n型掺杂区；所述第一金属接触层与所述第二金属接触层中的一层包括n型延伸区；所述第一金属接触层与所述第二金属接触层中的另一层包括p型延伸区；所述第一金属接触层及所述第二金属接触层非接触设置；所述p型延伸区及所述n型延伸区用于为探测像元提供工作电压；所述探测像元为所述p型基体及所述n型像元层组成的pn结。本发明提升了大阵列规模红外
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112992953 B
(45)授权公告日 2022.02.22
(21)申请号 202110176201.7 (56)对比文件
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