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半导体器件的熔丝锁存器.pdfVIP

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  • 2023-06-11 发布于四川
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半导体器件的熔丝锁存器.pdf

    本申请公开了一种半导体器件的熔丝锁存器。所述熔丝锁存器包括多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管以锁存熔丝单元数据。在熔丝锁存器中，PMOS晶体管形成在单个P型有源区中，以及NMOS晶体管在P型有源区的一侧布置成两级结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110910943 A (43)申请公布日 2020.03.24 (21)申请号 20181

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