半导体器件综合参数测试.docVIP

分 数： 评卷人： 研究生《电子技术综合实验》课程报告 题 目：半导体器件综合参数测试 学 号 姓 名 专 业 指 导 教 师 院（系、所） 年 月 日 实验目的： 了解、熟悉半导体器件测试仪器，半导体器件的特性，并测得器件的特性参数。掌握半导体管特性图示仪的使用方法，掌握测量晶体管输入输出特性的测量方法。 测量不同材料的霍尔元件在常温下的不同条件下（磁场、霍尔电流）下的霍尔电压，并根据实验结果全面分析、讨论。 实验内容： 测试3AX31B、3DG6D的放大、饱和、击穿等特性曲线，根据图示曲线计算晶体管的放大倍数； 测量霍尔元件不等位电势，测霍尔电压，在电磁铁励磁电流下测霍尔电压。 实验仪器： XJ4810图示仪、示波器、三极管、霍尔效应实验装置 实验原理： 三极管的主要参数： （1）直流放大系数hFE：hFE=（IC-ICEO）/IB≈IC/IB 。其中IC为集电极电流，IB为基极电流。 （2）穿透电流ICEO：基极开路时IC值，此值反映了三极管热稳定性。 （3）交流放大系数β：β=ΔIC/ΔIB （4）反向击穿电压BVCEO：基极开路时，C、E之间击穿电压。 图示仪的工作原理： 晶体管特性图示仪主要由阶梯波信号源、集电极扫描