焊盘上化学镀方法、半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-11 发布于四川
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焊盘上化学镀方法、半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种焊盘上化学镀方法、半导体器件及其制造方法，其将焊盘的面积较大且周长面积比小于2/毫米的暴露顶面，通过钝化层的覆盖和接触孔开孔，划分成多个面积较小的焊垫,所有焊垫的顶面的周长总和与面积总和之比大于2/毫米，由此，在化学镀金属化镀层的过程中，能减少化学镀第二金属层时对焊盘边缘处的第一金属层的腐蚀量，解决化学镀工艺中形成的底层金属空洞的问题。且由于面积较大的焊盘被定义成多个面积较小的焊垫，可使得焊盘和导电件之间的固体焊料片在回流处理后形成的焊料层的弧形顶面的高度降低，相比在大面积的焊盘

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112992658 B (45)授权公告日 2021.07.30 (21)申请号 202110403266.0 H01L 21/48 (2006.01)

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