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划片槽的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-11 发布于四川
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划片槽的形成方法.pdf

    本发明提供了一种划片槽的形成方法，包括：提供半导体器件，包括芯片、芯片密封环，以及切割道，芯片、芯片密封环和切割道形成在半导体基底上；部分刻蚀切割道并露出半导体基底表面，以形成深沟槽，深沟槽的两侧与切割道的边缘均具有一定距离；在半导体器件表面形成掩膜层，掩膜层覆盖深沟槽的侧壁和底壁；同时刻蚀深沟槽底壁的掩膜层和位于芯片上的掩膜层，以分别形成划片槽和焊盘。通过划片槽切割芯片不会伤害到密封环，从而可以保护芯片。划片槽侧壁的掩膜层阻止了切割道的材料暴露在空气中，阻止了芯片的金属被腐蚀，并且形成的划片槽

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013098 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110258189.4 (22)申请日 2021.03.09 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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