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2023-06-11 发布于四川
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MEMS三轴AMR磁力传感器及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器，Z轴AMR磁力传感器形成在沟槽的侧面上，Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘位于沟槽的顶部并延伸到沟槽外的第一介质层的表面，Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘位于沟槽的底部表面上；Z轴电极的第一侧宽度边缘位于沟槽的顶部并延伸到Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘外的第一介质层的表面，Z轴电极的第二侧宽度边缘位于沟槽的底部的Z轴AMR磁力传感器上且位于Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘的内侧。本发明还公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器的制造方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113003532 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110191336.0 (22)申请日 2021.02.20 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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