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本申请提供了一种芯片封装方法和芯片封装结构,方法包括:在芯片上沉积芯片金属层,且在基板上沉积基板金属层;在芯片金属层和基板金属层之间制备中间层;中间层为由低熔点金属层和高熔点金属层构成的三维堆叠式结构,且与芯片金属层与基板金属层连接的是低熔点金属层;对芯片金属层、基板金属层和中间层构成的结构,进行钎焊连接处理,形成芯片和基板之间连接层。本申请提供了一种面向芯片的封装方法,主要是利用连接层连接芯片与基板,该连接层是芯片金属层、基板金属层、中间层构成的结构通过钎焊处理后得到的,能够突破Sn基无铅焊料
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113013044 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202110192777.2 H01L 23/488 (2006.01)
(22)申请日
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