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- 2023-06-11 发布于四川
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本发明提供一种上电极及反应腔室，包括：在水平方向上排布的多个模组，多个模组的数量大于或等于2个，每个模组的下表面包括曲面和/或平面，平面包括平行于水平方向的面和倾斜于水平方向的面。这样，当等离子体从上电极的多个模组中流出时，通过多个模组调整等离子体的运动方向，由于每一个模组均可以调整等离子体的运动方向，从而能够精确调整从上电极流出的等离子体的运动方向，使得等离子体尽可能垂直作用于晶圆表面，进而使得晶圆上的刻蚀速率分布均匀，提高半导体成品的电性和良率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113013006 B
(45)授权公告日 2022.01.21
(21)申请号 202110234174.4 H01J 37/32 (2006.01)
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