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2023-06-11 发布于四川
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一种基于超材料的太赫兹二次谐波产生器件.pdf

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本发明公开了一种基于超材料的太赫兹二次谐波产生器件。所述超材料由谐振单元和低损耗衬底组成，其中谐振单元由场增强结构和耦合结构两部分构成。在太赫兹波激发时，场增强结构由于谐振增强了局域的磁场和电场，耦合结构处于场增强位置，其载流子受磁场力的驱动做非谐振动，进而在室温下辐射出太赫兹二次谐波。本发明创造性地采用磁电耦合的超材料结构，其二阶非线性特性可通过调整超材料结构参数实现精确控制，具有超高设计自由度，且该超材料结构紧凑，易集成，在0.1‑30THz频率范围内具有相当广泛的应用前景。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113009746 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110200308.0 (22)申请日 2021.02.23 (71)申请人清华大学地址 10

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