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本发明涉及光子集成电路领域,其提供了一种光子半导体装置及其制造方法。本发明将目标光子网络切分成多个子光子网络,所述目标光子网络为对所述光子半导体装置设定的光子网络;所述多个子光子网络形成在多个光子芯片上;所述多个光子芯片上的多个子光子网络通过耦合器连接,得到承载所述目标光子网络的光子半导体装置,其中,所述耦合器能够将光从一个光子芯片耦合到另一个光子芯片。由此,相对于现有的受限于单个芯片的使用面积的光子网络,本发明的光子半导体装置的光子网络的规模得以成倍的增加,该光子半导体装置的能效、处理速度也得
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112992695 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202110438972.9 G06N 3/067 (2006.01)
(22)申请日 2
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