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本发明涉及一种探测器的集成结构及其方法。一种探测器的集成方法:在第一衬底上制作读出电路结构,然后在读出电路结构的表面形成第一介质层,获得衬底A;在第二衬底的表面由下至上依次形成锗缓冲层、堆叠本征层、P型掺杂锗层、第二介质层,获得衬底B;其中,堆叠本征层是由Ge层和Ge1‑xMx层交替重复堆叠n次而成,M为Si或Sn;将衬底A和衬底B键合;在键合后去除第二衬底、锗缓冲层,然后在堆叠本征层的表面形成N型掺杂锗层,再制作探测器结构;将读出电路结构和探测器结构互连。本发明将未制作出探测器的衬底键合在读出
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113013288 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202110160739.9 H01L 27/144 (2006.01)
(22)申请日
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