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- 2023-06-11 发布于四川
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方法包括在衬底上沉积目标层;通过将离子注入到目标层中来减少入射到目标层上的光的反射,从而产生离子注入的目标层;在离子注入的目标层上涂覆光刻胶层;使用光刻工艺将光刻胶层暴露于光,其中目标层在光刻工艺期间减少在离子注入的目标层和光刻胶层之间的界面处的光的反射;显影光刻胶层以形成光刻胶图案;用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻离子注入的目标层;使用至少蚀刻的离子注入的目标层作为工艺掩模处理衬底;以及去除蚀刻的离子注入的目标层。本发明的实施例还涉及用于光刻图案化的方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109960106 A
(43)申请公布日
2019.07.02
(21)申请号 20181
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