第七章半导体存储器详解.pptVIP

用256×8 位的RAM扩展为1024×8 位RAM的系统框图 目前三十页\总数四十五页\编于四点 目前三十一页\总数四十五页\编于四点 … A0A1 …A9 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 2114 （1） CS R/W I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0A1 …A9 … I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 2114 （2） CS R/W A0A1 …A9 … I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 2114 （4） CS R/W … A0A1 …A9 R/W Y0 Y1 Y2 Y3 A10 A11 A0 A1 2-4线译码器 将 (1024×4位)扩展成( 4096×4位)的RAM 目前三十二页\总数四十五页\编于四点 第七章半导体存储器详解演示文稿 目前一页\总数四十五页\编于四点 优选第七章半导体存储器 目前二页\总数四十五页\编于四点 半导体存储器是一种能存储大量二值数字信息的大规模集成电路，是现代数字系统特别是计算机中的重要组成部分。 半导体存储器 ROM EPROM 快闪存储器 PROM E2PROM 掩膜ROM 可编程ROM RAM SRAM DRAM 按存取方式来分 7.1 概述 按制造工艺来分 半导体存储器 双极型 MOS型 目前三页\总数四十五页\编于四点 对存储器的操作通常分为两类： 写——即把信息存入存储器的过程。 读——即从存储器中取出信息的过程。 两个重要技术指标 存储容量——存储器能存放二值信息的多少。单位是 位或比特（bit）。1K=210=1024，1M=210K=220。 存储时间——存储器读出（或写入）数据的时间。一 般用读（或写）周期来表示。 目前四页\总数四十五页\编于四点 7.2.1 掩膜只读存储器（ROM） ②存储的数据不会因断电而消失，具有非易失性。 特点： ①只能读出，不能写入； 1、 ROM的基本结构 ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部 分组成。 7.2 只读存储器（ROM） 掩模ROM ：厂家把数据“固化”在存储器中，用户无法进行任何修改。适合大量生产，简单，便宜，非易失性，使用时，只能读出，不能写入。 目前五页\总数四十五页\编于四点 ROM的基本结构 字线 位线 存储单元可以由二极管、双极型三极管或者MOS管构成。每个存储单元可存储1位二值信息（“0”或“1”）。 按“字”存放、读取数据，每个“字”由若干个存储单元组成，即包含若干“位”。字的位数称为“字长”。 每当给定一组输入地址时，译码器选中某一条输出字线Wi，该字线对应存储矩阵中的某个“字”，并将该字中的m位信息通过位线送至输出缓冲器进行输出。 存储器的容量＝字数×位数＝2n×m位 目前六页\总数四十五页\编于四点 2、二极管ROM 目前七页\总数四十五页\编于四点 地址译码器实现地址码的与运算，每条字线对应一个最小项。 地址译码器 目前八页\总数四十五页\编于四点 存储矩阵实现字线的或运算 存储矩阵 目前九页\总数四十五页\编于四点 ROM的数据表 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 制作芯片时，若在某个字中的某一位存入“1”，则在该字的字线与位线之间接入二极管，反之，就不接二极管。 目前十页\总数四十五页\编于四点 3、MOS管ROM 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 ROM的点阵图 “1” “0” 目前十一页\总数四十五页\编于四点 一次性可编程ROM（PROM）：出厂时，存储内容全为1，用户可根据自己的需