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本发明提供一种半导体电迁移测试电路及测试方法,所述半导体测试电路包括:若干个金属测试线;多级电流源模块,包括若干个晶体管,其设置在所述金属测试线的一侧,且连接所述金属测试线的一端;若干个测试点,包括至少四个焊盘,其设置在所述多级电流源模块与所述金属测试线的两端。将若干个金属测试线放置在所述测试点上,并在所述多路比例电流源的一端施加总电流,形成所述多路比例电流源的输出电流,获得相对应所述金属测试线的输入电流;检测每个所述金属测试线两端的电阻值;根据所述输入电流和所述电阻值,获得所述金属测试线的电迁
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113030685 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202110562617.2
(22)申请日 2021.05.24
(71)申请人 晶芯成(北京)科技有限公司
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