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一种制造半导体装置的方法及其装置，在一种制造包括FinFET的半导体装置的方法中，在基板上形成在第一方向上延伸的鳍片结构。在基板上形成隔离绝缘层以使得鳍片结构的上部部分自隔离绝缘层暴露。在鳍片结构的一部分上形成在与第一方向交叉的第二方向上延伸的栅极结构。在鳍片结构的源极/漏极区域的侧壁上形成鳍片遮罩层。使鳍片结构的源极/漏极区域凹陷。在凹陷的鳍片结构上形成磊晶源极/漏极结构。在使鳍片结构的源极/漏极区域凹陷中，使用组合蚀刻及沉积制程的电浆制程在沿第二方向的横截面中形成具有圆角形状的凹槽。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053819 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202110156114.5 H01L 27/092 (2006.01)
(22)申请日
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