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本申请公开了一种存储器的控制方法及装置，用以提升存储器的存储速度。所述存储器具有第一存储区域和第二存储区域，所述第一存储区域的存储速度快于所述第二存储区域，所述方法包括：在设备即将从第一状态进入第二状态的情况下，建立所述存储器与设备内引导系统的连接，其中，所述第二状态的功耗低于第一状态，所述引导系统用于引导所述设备操作系统的启动；基于所述引导系统将所述第一存储区域的数据迁移到第二存储区域中。采用本申请所提供的方案，减少由于存储速度最快的存储区域写满而导致存储器存储速度变慢的情况出现，提升了存储器
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113031868 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202110316842.8
(22)申请日 2021.03.24
(71)申请人 联想（北京）有限公司
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