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MOCVD基础知识演示文稿 目前一页\总数三十四页\编于十四点 MOCVD基础知识 目前二页\总数三十四页\编于十四点 MOCVD（Metalorganic Chemical Vapor Deposition） MOCVD是一个将特定的源材料通过一系列严格控制,传输到加热生长区，在此生长区，源材料热分解后的元素化合形成具有一定光、电性能的晶体材料。 目前三页\总数三十四页\编于十四点 主要内容 1.基本原理 2.生长的材料体系 目前四页\总数三十四页\编于十四点 基本原理 （1）使用的原材料 （2）组分控制 （3）热力学分析 目前五页\总数三十四页\编于十四点 使用的原材料 ARn + BHn → AB + nRH A、B是组成外延材料的元素， R是有机基团。 常用的A组分有Ga, In, Al, Mg, Zn,一般为： TMGa, TEGa, TMIn, TEIn, TMAl, TEAl, Cp2Mg (C2H5)2Mg, DMZn, DEZn. 常用的B组分通常采用其氢化物，例如AsH3, PH3, NH3, SiH4, SeH2等。 目前六页\总数三十四页\编于十四点 一些常用源的分子结构示意图 DMZn TMGa AsH3 DMTe TBP TDMAAs 目前七页\总数三十四页\编于十四点 基本原理 （1）使用的原材料 （2）组分控制 （3）热力学分析