集成芯片及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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集成芯片及其形成方法.pdf

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一种集成芯片具有存储器单元，所述存储单元包括磁隧道结(MTJ)器件和访问选择器装置。MTJ器件包括自由层和固定层。访问选择器装置包括通过一个或者多个非金属层间隔开的第一金属结构和第二金属结构。第一金属结构包括极化磁性层。极化的磁性层产生延伸穿过自由层的磁场，倾斜其磁场，从而大大减少了用于MTJ器件的开关时间。访问选择器装置可以是双极选择器。极化磁性层可以结合至双极选择器的电极中。访问选择器装置和MTJ器件都可以由材料层的堆叠件形成。所得的存储器单元可以是紧凑的，并且具有良好的写入速度。本发明的实

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113054095 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110161788.4 (22)申请日 2021.02.05 (30)优先权数据 16/824,86