第5章晶体三极管及其基本放大电路.pptxVIP

第5章晶体三极管及其基本放大电路第1页/共217页 2023/6/132BJT：Bipolar Junction Transistor——双极型晶体管——（晶体三极管、半导体三极管）﹡双极型器件两种载流子（多子、少子）第2页/共217页 2023/6/133几种常见晶体管的外形 第3页/共217页 2023/6/1345.1.1 晶体管的结构及其类型ecb发射极基极集电极发射结集电结基区发射区集电区NPNcbeNPN(a) NPN管的原理结构示意图(b) 电路符号（base） （collector ）（emitter）符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。第4页/共217页 2023/6/135晶体管的结构第5页/共217页 2023/6/136PNPcbe(b) 电路符号(a) PNP型三极管的原理结构符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。第6页/共217页 2023/6/137图2-3 平面管结构剖面图＊结构特点1、三区两结2、基区很薄3、e区重掺杂 c区轻掺杂 b区掺杂最轻4、集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。第7页/共217页 2023/6/1385.1.2 晶体管的电流分配与放大作用 （以NPN管为例）一、放大状态下晶体管中载流子的运动BJT 处于放大状态的条件：内部条件：发射区重掺杂(故管子e、 c极不能互换)基区很薄(几个?m)集电结面积大外部条件：发射结正偏集电结反偏第8页/共217页 2023/6/139NPN型晶体管的电流关系 第9页/共217页 2023/6/1310外加偏置电压要求 对 NPN管UC ＞ UB＞ UE UC UEUB对 PNP管 要求 UC ＜ UB ＜ UE UC UEUB第10页/共217页 2023/6/1311共射极直流电流放大系数一般1、直流电流放大系数第11页/共217页 2023/6/13125.1.3 晶体管的共射特性曲线晶体管特性曲线：描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。 icebiBC输出回路输入回路ecbiBiEceiEiCb(a)共发射极(b)共集电极(c)共基极 第12页/共217页 2023/6/1313下面以共射极电路为测试电路μAmAVViBiCUCCUBBRCRB＋－uBE＋－uCE＋－第13页/共217页 2023/6/13145.1.3.1 共射极输入特性曲线共射组态晶体管的输入特性：μAmAVViBiCUCCUBBRCRB＋－uBE＋－uCE＋－ 它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。第14页/共217页 2023/6/1315cICeIENPNIBRCUCCUBBRBbIBNIENICN第15页/共217页 2023/6/13165.1.3.2 共射极输出特性曲线共射组态晶体管的输出特性： 它是指一定基极电流IB下，三极管的输出回路集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。第16页/共217页 2023/6/1317uCE/V5101501234iC/mAIB＝40A?30A?20A?10A?0A?cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICN第17页/共217页 2023/6/1318 共射输出特性曲线第18页/共217页 2023/6/1319一、放大区★发射结正向偏置， 集电结反向偏置1、基极电流 iB 对集电极电流 iC 的控制作用很强uCE/V5101501234饱和区截止区iB＝－ICBO放大区iC/mAuCE＝uBEIB＝40A?30A?20A?10A?0A?在数值上近似等于?β问题：特性图中β=？β=100第19页/共217页 2023/6/13202、uCE 变化时, iC 影响很小（恒流特性）uCE/V5101501234饱和区截止区iB＝－ICBO放大区iC/mAuCE＝uBEIB＝40A?30A?20A?10A?0A?即： iC 仅决定于iB ，与输出环路的外电路无关。 放大区第20页/共217页 2023/6/1321二、饱和区★发射结和集电结均正向偏置uCE/V5101501234饱和区截止区iB＝－ICBO放大区iC/mAuCE＝uBEIB＝40A?30A?20A?10A?0A?临界饱和：uCE=uBE，uCB=0(集电结零偏)第21页/共217页 2023/6/1322IcCeIENPNIBRCUCCUBBRBIbIBNIEPIENICNC1饱和区（1） iB一定时，iC比放大时要小 三极管的电流放大能力下降，通常有iCβiB（2）uCE 一定时iB增大，i