半导体器件和形成半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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半导体器件和形成半导体器件的方法.pdf

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根据本公开的半导体器件包括沟道构件，沟道构件包括第一连接部分、第二连接部分和布置在该第一连接部分与该第二连接部分之间的沟道部分；布置在第一连接部分上方并且与第一连接部分接触的第一内部间隔部件；布置在第一连接部分下方并且与第一连接部分接触的第二内部间隔部件；以及包裹沟道构件的沟道部分的栅极结构。该沟道构件还包括第一脊，该第一脊位于沟道构件的顶面上并且布置在沟道部分与第一连接部分之间的界面处。第一脊部分地在第一内部间隔部件与栅极结构之间延伸。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113493 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110170950.9 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日