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一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管.pdfVIP

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  • 2023-06-13 发布于四川
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一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管.pdf

    本申请实施例提供一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管，应用于自对准双图案工艺，其中，所述方法包括：在栅极介质层上，依次形成至少两个隔离侧墙、包裹每一所述隔离侧墙的牺牲层、和位于所述牺牲层表面的低温氧化物层，其中，所述隔离侧墙用于定义栅极的特征尺寸；对所述低温氧化物层和所述牺牲层，依次进行刻蚀处理，以暴露出所述隔离侧墙中的目标隔离侧墙；对所述目标隔离侧墙进行减薄处理，得到减薄隔离侧墙，通过所述减薄隔离侧墙刻蚀所述栅极介质层，形成所述栅极。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113097294 B (45)授权公告日 2022.05.10 (21)申请号 202110231131.0 H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2021.03

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