一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构.pdf

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本发明涉及太阳能电池生产领域。一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构，按照包括制绒、扩散、正面重掺杂、臭氧化、背面去PSG、碱抛光、正面氧化、正面沉积氮化硅膜、背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜、背面激光开孔、电极印刷、高温烧结、电注入的工艺步骤进行，背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜是指首先制备多层的氮氧化硅层，然后制备多层的氮化硅层，最后再制备一层氮氧化硅层和一层氮化硅。本发明通过在电池的背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜，有效的提高了氢钝化，太阳能电池的光电转换效率得到了进一步提升，同时设备不

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097346 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110424217.5 (22)申请日 2021.04.20 (71)申请人山西潞安太阳能科技有限责任公司