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2023-06-13 发布于四川
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半导体结构及半导体结构制作方法.pdf

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本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构制作方法，属于半导体技术领域，以解决第二导电块与位线之间容易产生寄生电容及发生漏电的技术问题。本发明实施例的半导体结构包括基底、位线结构以及电容连接线，多个位线结构设置在基底上，相邻的位线结构之间形成有接触孔；电容连接线包括第一导电块和第二导电块，第一导电块和第二导电块依次填充在接触孔内，第一导电块的顶端设置有倒角结构，倒角结构与位线结构邻接，第二导电块底端与倒角结构配合。本发明实施例的半导体结构增大了第二导电块与位线结构之间的距离，防止第二导电块与位线

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113097209 B (45)授权公告日 2022.07.08 (21)申请号 202110336757.8 (56)对比文件 (22)申请日 2021.03.29

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