存储器阵列和形成存储器阵列的方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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存储器阵列和形成存储器阵列的方法.pdf

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本申请案涉及存储器阵列和形成存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。操作性存储器单元柱的水平图案延伸通过存储器块中的个别存储器块中的所述绝缘层和所述导电层。所述操作性存储器单元柱具有固有压缩机械应力。所述个别存储器块中的至少一个虚设结构延伸通过所述绝缘层和所述导电层中的至少上部所述绝缘层和所述导电层。所述至少一个虚设结构是(a)和(b)中的至少一个，其中(a)：在所述水平图案的横

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113416 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202011588414.2 G11C 5/02 (2006.01)