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一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-13 发布于四川
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一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113066927 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110170101.3 (51)Int.Cl .

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