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2023-06-13 发布于四川
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一种车用晶片的制造方法.pdf

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本发明提供了一种车用晶片的制造方法，包括如下步骤：S1：将半导体芯片表面清洗干净，备用；S2：将半导体芯片进行磷硼扩散，形成PN结的半导体芯片；S3：利用S2所得的半导体芯片P极表面朝上放在激光切割机载片台上，利用激光对半导体芯片进行垂直切割，形成垂直沟槽；S4:然后在P极表面和垂直沟槽表面覆盖光阻；S5：对晶片进行显影，留出将要进行蚀刻的缺口；S6：对晶片进行深度蚀刻。本发明采用非等向性与等向性复合挖沟操作，可以有效改善传统二极管终端区晶粒反偏下电场过度集中现象。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113066721 A (43)申请公布日 2021.07.02 (21)申请号 202110291955.7 (22)申请日 2021.03.18 (71)申请人扬州虹扬科技发展有限公司

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