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提供半导体装置与其形成方法。一实施例的方法包括接收基板，其含有下侧接点结构；沉积第一介电层于基板上；形成金属‑绝缘层‑金属结构于第一介电层上；沉积第二介电层于金属‑绝缘层‑金属结构上；进行第一蚀刻工艺，形成开口延伸穿过第二介电层以露出金属‑绝缘层‑金属结构；进行第二蚀刻工艺，延伸开口穿过金属‑绝缘层‑金属结构，以露出第一介电层；以及进行第三蚀刻工艺，进一步延伸开口穿过第一介电层，以露出下侧接点结构。第一蚀刻工艺与第三蚀刻工艺的蚀刻剂包括氟，而第二蚀刻工艺的蚀刻剂不含氟。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113113350 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202011457562.0
(22)申请日 2020.12.11
(30)优先权数据
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