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本发明公开了一种半导体高密度引线框架及其制造工艺，其中包括预处理、电镀、棕化、滚压、光刻等步骤，制备得到高密度、高精度的半导体引线框架，在制备时本申请首先对铜基板进行表面处理，先将铜基板置于电解液中进行阴极电解除油，以去除铜基板表面油污，保证铜基板表面清洁；接着再置于酸溶液中，该步骤是为了彻底去除铜基板表面的氧化膜；接着对铜基板进行表面活化，保持铜基板的表面活性，使得铜基板与后续镀层之间能够良好结合，得到预处理铜基板。本申请光刻后在铜基板表面形成光刻图案，实际操作时可再进行后续电镀金属层、芯片键
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113113321 B
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 202110325931.9 C25D 3/28 (2006.01)
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