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一种雪崩光电二极管探测装置.pdfVIP

一种雪崩光电二极管探测装置.pdf

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    本发明公开了一种雪崩光电二极管探测装置，其特征在于，所述雪崩光电二极管探测装置包括至少一个单光子雪崩二极管，所述光子雪崩二极管包括半导体衬底、有源区以及操作电路；所述单光子雪崩二极管还包括辅助区域和电子收集区域；其中所述有源区与所述操作电路电连接。通过本发明的结构，降低被俘获的载流子数，从而有效的降低后脉冲的产生概率，另外可以让被俘获的载流子在雪崩时间被释放，可以避免错误计数的产生，提高探测装置的精度和稳定性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113078227 A (43)申请公布日 2021.07.06 (21)申请号 202110335457.8 (22)申请日 2021.03.29 (71)申请人 宁波飞芯电子科技有限公司

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