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2023-06-13 发布于四川
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一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件.pdf

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本发明涉及一种具有电子积累效应的鳍式EAFin‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件分为：衬底、埋氧层和器件上面部分；其中器件上面部分包括：栅氧化层；栅氧化层外侧部分：从左至右依次是源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区和漏极N+区；栅氧化层内侧部分：从左至右依次是栅极P+区、栅极P‑body、控制结构的漂移区、控制结构的漏极N+区和控制结构的漏极P+区。本发明在器件中使用了电子积累效应，并采用了鳍式结构，在保持较高的击穿电压下大幅度降低Ron,sp，最终提高了Baliga优值FOM

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113097310 B (45)授权公告日 2023.03.24 (21)申请号 202110362550.8 H01L 29/06 (2006.01) (22)申请日 2021.04

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