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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

半导体结构及其制备方法.pdf

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    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底；沟槽，位于衬底内；位线接触结构，位于沟槽内，且位线接触结构的上表面低于衬底的上表面，位线接触结构沿第一方向延伸；位线结构，位于位线接触结构上，且至少部分位于沟槽内；位线保护结构，包括顶层介质层及侧墙结构，顶层介质层位于位线结构上，与位线结构共同构成叠层结构；侧墙结构覆盖叠层结构位于衬底上的部分的侧壁，侧墙结构内具有第一空气间隙；隔离图形结构，隔离图形结构内具有第二空气间隙，所述隔离图形结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，以于相邻位

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113097210 B (45)授权公告日 2022.05.03 (21)申请号 202110350204.8 (56)对比文件

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