一种HEMT器件及其制作方法.pdfVIP

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本发明公开了一种HEMT器件及其制作方法,HEMT器件包含从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层,所述沟道层与势垒层构成异质结;还包括相对设置在势垒层上方有源区处的源极和漏极,以及栅极,所述栅极包括设置于有源区处的源极与漏极之间栅极区域处的梳齿栅极结构;所述梳齿栅极结构包含梳柄部和至少两个或两个以上的梳齿部,所述梳齿部与梳柄部相连,梳齿部间隔设置;所述梳柄部设置于势垒层上并与源极或漏极平行;沿着栅宽方向若干相邻梳齿部之间的间距逐渐变宽或逐渐变窄分布;所述梳齿部深入势垒层的中;所述梳齿

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113313 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110274345.6 (22)申请日 2021.03.15 (71)申请人 厦门市三安集成电路有限公司

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