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公开了电容器结构及其形成方法以及半导体装置及其制造方法。所述电容器结构可以包括位于基底上的下电极、位于基底上的介电层以及位于介电层上的上电极。下电极可以包括具有化学式M1Ny(M1是第一金属,y是正实数)的金属氮化物。介电层可以包括金属氧化物和氮(N),金属氧化物具有化学式M2Ox(M2是第二金属,x是正实数)。介电层中的氮(N)的检测量的最大值可以比下电极中的氮(N)的检测量的最大值大。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130750 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202011517369.1
(22)申请日 2020.12.21
(30)优先权数据
10-2
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