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本发明提供了一种量子点薄膜的制备方法,包括以下步骤:提供初始量子点薄膜,对所述初始量子点薄膜进行紫外照射处理,得到第一量子点薄膜;在所述第一量子点薄膜中加入目标配体,退火处理,制备表面结合有目标配体的量子点薄膜。本发明提供的量子点薄膜的制备方法,在保持原有量子点光学性能不受影响的前提下,可以在初始量子点表面引入目标配体,特别是将初始量子点表面配体进行置换,引入目标配体。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113130832 B
(45)授权公告日 2022.08.09
(21)申请号 201911396687.4 (56)对比文件
(22)申请日 2019.12.30
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