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本发明公开了一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺,属于陶瓷技术领域,包括以下步骤:S1、选取碳化硅粉备用,S2、将选取的碳化硅粉搅拌混料、造粒烘干,S3、将碳化硅粉等静压制成型陶瓷,S4、对压制成型的陶瓷进行烧结,获得无压烧结碳化硅陶瓷。本发明,突破了传统烧结工艺,在无压条件下进行烧结,氩气氛烧结中,将99.9%的碳化硅微粉在22000C高温烧结,密度达到3.15g/cm3,热导性能好,热导率达74W/m.k,努氏硬度2600kg/mm2,烧结后的无压碳化硅材料具有超强的断裂韧性,又具有较高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113121239 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110234526.6
(22)申请日 2021.03.03
(71)申请人 山东君道高温材料有限公司
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