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本发明公开了一种多芯片倒装焊三层封装结构的底填灌封方法，包括：制作多芯片倒装焊三层封装结构，并使其整体温度保持在100℃～120℃；采用送胶针管从三层封装结构侧面的缝隙处伸入并注入灌封胶；当三层封装结构四周的侧面均可见灌封胶时，停止注入灌封胶；停止加热；将三层封装结构放入烘箱中进行灌封胶胶体固化。本发明中，灌封胶进入三层封装结构后在热力作用下能够获得很低的粘度和良好的流动性，通过毛细管虹吸作用自然流散，均匀在缝隙中扩散，有效避免在缝隙中形成空洞，解决了三层封装结构的灌封工艺难题，并能一次性实现芯
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113113325 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110377493.0
(22)申请日 2021.04.08
(71)申请人 中国电子科技集团公司第二十四研
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