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对于幅度一定，频率为ω=2πf 的正弦调制信号，用光生电流I(ω)下降3dB的频率定义为截止频率fc。当光电二极管具有单一时间常数τ0时， （3.17） PIN光电二极管响应时间或频率特性主要由光生载流子在耗尽层的渡越时间τd和包括光电二极管在内的检测电路RC常数所确定。 第三十页，共四十八页，2022年，8月28日 当调制频率ω与渡越时间τd的倒数可以相比时， 耗尽层(I层)对量子效率η(ω)的贡献可以表示为 (3.18)   由η(ω)/η(0)= 得到由渡越时间τd限制的截止频率 （3.19） 式中，渡越时间τd=w/vs，w为耗尽层宽度，vs为载流子渡越速度， 比例于电场强度。 由式(3.19)和式(3.18)可以看出， 减小耗尽层宽度w，可以减小渡越时间τd，从而提高截止频率fc，但是同时要降低量子效率η。 第三十一页，共四十八页，2022年，8月28日 图3.23 内量子效率和带宽的关系 第三十二页，共四十八页，2022年，8月28日 由电路RC时间常数限制的截止频率  式中，Rt为光电二极管的串联电阻和负载电阻的总和，Cd为结电容Cj和管壳分布电容的总和。 式中，ε为材料介电常数，A为结面积，w为耗尽层宽度。 (3.20) (3.21) 第三十三页，共四十八页，2022年，8月28日  (三) 噪声。 噪声影响光接收机的灵敏度。 噪声包括散粒噪声(Shot Noise)(由信号电流和暗电流产生) 热噪声(由负载电阻和后继放大器输入电阻产生) （ 1 ）均方散粒噪声电流  〈 i2sh〉=2e(IP+Id)B (3.22) e为电子电荷，B为放大器带宽，IP和Id分别为信号电流和暗电流。  2eIPB 称为量子噪声(由于入射光子和所形成的电子-空穴对都具有离散性和随机性而产生)  2eIdB是暗电流产生的噪声。 暗电流是器件在反偏压条件下，没有入射光时产生的反向直流电流。 第三十四页，共四十八页，2022年，8月28日 （1）均方热噪声电流  式中，k=1.38×10-23J/K为波尔兹曼常数，T为等效噪声温度，R为等效电阻，是负载电阻和放大器输入电阻并联的结果。  因此， 光电二极管的总均方噪声电流为 〈i2〉=2e(IP+Id)B+ (3.24) (3.23) 〈i2T〉= 第三十五页，共四十八页，2022年，8月28日 * * 通信用光器件 第一页，共四十八页，2022年，8月28日 LED的P__I特性曲线 原理：由正向偏置电压产生的注入电流进行自发辐射而发光 4 3 2 1 0 50 100 150 0℃ 25℃ 70℃ 电流/mA 输出功率/ mW 第二页，共四十八页，2022年，8月28日 式中，f 为调制频率，P( f )为对应于调制频率 f 的输出光功率，τe为少数载流子(电子)的寿命。定义 fc 为发光二极管的截止频率，当 f = f c =1/(2πτe)时，|H(fc)|= ， 最高调制频率应低于截止频率。  (4) 频率特性。 发光二极管的频率响应可以表示为 |H(f)|= (3.12) 图3.17示出发光二极管的频率响应， 图中显示出少数载流子的寿命τe和截止频率 fc 的关系。 对有源区为低掺杂浓度的LED， 适当增加工作电流可以缩短载流子寿命，提高截止频率。 第三页，共四十八页，2022年，8月28日 图 3.17 发光二极管(LED)的频率响应 第四页，共四十八页，2022年，8月28日 3.1.5 半导体光源一般性能和应用 半导体光源的一般性能表： 3.1和表3.2列出半导体激光器(LD)和发光二极管(LED)的一般性能。  LED