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本公开涉及具有铁电随机存取存储器和可调电容器的片上系统。一种半导体器件，包括：衬底；第一电介质层，位于衬底之上；存储器单元，位于半导体器件的第一区域中的衬底之上，其中，存储器单元包括第一电介质层中的第一铁电结构，其中，第一铁电结构包括第一底部电极、第一顶部电极和介于这两者之间的第一铁电层；以及可调谐电容器，位于半导体器件的第二区域中的衬底之上，其中，可调谐电容器包括第二铁电结构，其中，第二铁电结构包括第二底部电极、第二顶部电极和介于这两者之间的第二铁电层，其中，第二铁电结构的至少一部分位于第一电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130490 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202011331585.7
(22)申请日 2020.11.24
(30)优先权数据
62/955,19
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