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一种晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法.pdf

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    本发明公开了一种晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法，其中晶圆再布线双重验证结构，包括：裸芯片，具有基板、设置在所述基板上的若干焊盘和钝化层，钝化层上设置有若干与焊盘相对设置并向外暴露相应所述焊盘的钝化层开口。若干再布线模块，设置在所述钝化层之上并与相应的焊盘连接；相邻两再布线模块之间形成间隙部。介电模块，设置在所述再布线模块之上，所述介电模块上形成有朝所述间隙部方向倾斜的倾斜面；电镀层，设置在所述介电模块的倾斜面上。本发明的晶圆再布线双重结构能够实现在同一晶圆、一套制程上对不同形式的再布

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113113388 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110381030.1 H01L 23/538 (2006.01)

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