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半导体结构的制造方法.pdfVIP

半导体结构的制造方法.pdf

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    本公开实施例涉及半导体结构的制造方法。上述方法包含形成开口与于开口中沉积金属层。沉积的步骤包含执行一或多个沉积循环。每个沉积循环包含流送第一前驱物进入沉积腔室以及执行紫外线(UV)辐射于第一前驱物上。上述方法还包含在沉积腔室执行第一驱净制程以移除至少一部分的第一前驱物；流送第二前驱物进入沉积腔室；以及驱净沉积腔室以移除至少一部分的第二前驱物。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140453 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110047558.5 (22)申请日 2021.01.14 (30)优先权数据

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