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晶圆级封装的热式MEMS流量传感器芯片及其制作方法，涉及传感器技术领域。本发明是为了解决现有热式MEMS流量传感器替换性差、测量精度差的问题。本发明所述的晶圆级封装的热式MEMS流量传感器芯片，芯片表面通过晶圆级键合工艺设有通道构件，所述通道构件与芯片的电阻之间构成气流通道。采用MEMS工艺制作气流通道，并且采用先进的MEMS晶圆级键合工艺将气流通道整体安装于芯片上，将气流通道的截面加工误差和安装误差从毫米级降低至微米级。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116253284 A
(43)申请公布日 2023.06.13
(21)申请号 202211658717.6 B81C 3/00 (2006.01)
(22)申请日 2022.12.2
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