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本申请题为“具有在基极区与发射极区之间的偏置结构的双极结晶体管”。在所描述的示例中，双极结晶体管(100)包括衬底。发射极区(114)、基极区(112)和集电极区(110)均形成在衬底(120)中。栅极型结构(102)在基极区(112)与发射极区(114)之间形成在衬底上。触点(130)耦合到栅极型结构(102)，并且触点适于耦合到DC电压(VCC)的源。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113161413 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 202110002780.3 H01L 21/28 (2006.01)
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