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半导体结构的形成方法.pdfVIP

半导体结构的形成方法.pdf

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    本申请说明半导体结构的形成方法，其包括：形成栅极结构于基板上；形成层间介电结构以围绕栅极结构；以及形成第一开口于栅极结构与层间介电结构中。第一开口具有栅极结构中的第一部分，以及层间介电结构中的第二部分，其中第一部分的宽度大于第二部分的宽度。方法还包括沉积介电层于第一开口中，以及形成第二开口于第一开口上。沉积介电层后，第一开口的第一部分维持开放，而介电层填入第一开口的第二部分。栅极结构中的第二开口的深度大于栅极结构中的第一开口的深度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130397 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110103244.2 (22)申请日 2021.01.26 (30)优先权数据 16/787,96

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