一种鲁棒性高的半导体装置及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种鲁棒性高的半导体装置及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种鲁棒性高的半导体装置，包括半导体衬底、设于半导体衬底背面的集电极及集电极金属层、设于半导体衬底表面的栅氧化层及栅氧化层上方的多个栅极多晶硅、位于栅极多晶硅上方的绝缘介质层及金属互联层，其特征在于：半导体衬底的表面还设有多个有效源区及纵向载流子调整区，有效源区或纵向载流子调整区位于相邻栅极多晶硅之间，有效源区及纵向载流子调整区均包括阱区、阱区上方的第一载流子掺杂区、位于第一载流子掺杂区上方的第二载流子掺杂区，有效源区与金属互联层电性连接，纵向载流子调整区与金属互联层电性隔绝。本发明的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113130628 B (45)授权公告日 2022.06.24 (21)申请号 202110399546.9 H01L 29/739 (2006.01) (22)申请日 2021.0

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