硅晶片的极低氧浓度测定方法.pdfVIP

下载本文档

4
0
约1.47万字
约 9页
2023-06-14 发布于四川
举报
版权申诉

硅晶片的极低氧浓度测定方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供使用FT‑IR简便地、灵敏地测定硅晶片中的间隙氧浓度的方法。单晶硅晶片中的小于1.0×1016atoms/cm3的极低氧浓度的测定方法，其具有：在测定晶片、无间隙氧的参考晶片和间隙氧浓度已知的标准晶片上分别形成规定厚度的SiO2膜、氮化膜或PE膜的步骤1、测定步骤1中得到的测定晶片、参考晶片和标准晶片的IR光谱的步骤2、由测定晶片的IR光谱和参考晶片的IR光谱求出差光谱(透射谱)，求出对应于间隙氧的吸収峰的强度的步骤3、对比该间隙氧的峰强度和标准晶片的IR光谱的间隙氧的峰强度，由与标准

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113167726 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980083663.5 (74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公