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一种适用于纳米级CMOS工艺的低功耗基准电压源.pdfVIP

一种适用于纳米级CMOS工艺的低功耗基准电压源.pdf

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    本发明提供了一种适用于纳米级CMOS工艺的低功耗基准电压源，其包括补偿电流产生电路和基准电压产生电路；通过电路结构设置，电路中的MOS管均工作于弱反型区，降低了电路对工作电压的需求，实现了电路工作的低功耗。本发明通过一阶电流及二阶电流补偿技术，使电路中工作于弱反型区的MOS管的栅源极电压基本不受温度变化及工艺偏差的影响，并将其作为基准电压输出，有效减低了电路输出基准电压的温度系数。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113110679 B (45)授权公告日 2022.05.20 (21)申请号 202110449316.9 (56)对比文件 (22)申请日 2021.04.25

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