半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供第一介质层；于第一介质层内形成第一窗口；于第一窗口内形成第一连通结构；于第一介质层上形成第二介质层，第二介质层具有第二窗口，第二窗口至少显露部分第一连通结构；于第二窗口的侧壁及底部形成第一阻挡层，第一阻挡层包括开口，开口显露第一连通结构；于第二窗口内形成第二连通结构。上述半导体器件的制备方法不仅能避免第二连通材料扩散到第一介质层和第二介质层中，而且能提高第一连通结构与第二连通结构之间的电传导效率，提高器件性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140501 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 20201