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一种模场分布可控的外腔半导体激光器.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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一种模场分布可控的外腔半导体激光器.pdf

    本发明公开了一种模场分布可控的外腔半导体激光器，包括半导体增益芯片，所述半导体增益芯片的一侧设置有傅里叶变换镜组，所述傅里叶变换镜组远离半导体增益芯片的一侧设置有空间模场选择器，所述空间模场选择器远离傅里叶变换镜组的一侧设置有共轭反射镜，本发明相对于传统的单模半导体激光器，实现了更高的量子效率，提高了输出光功率，并且实现了更低的制造成本，更易量产，同时实现了可控的模场输出，提高了光束质量，即可以低成本地实现任意可控的激光器模场输出，在激光照明，激光通信、激光传感等领域具有重要价值。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113178776 A (43)申请公布日 2021.07.27 (21)申请号 202110549690.6 (22)申请日 2021.05.20 (71)申请人 微源光子（深圳）科技有限公司

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